业界看今年上半年甚至全年DRAM市况持续稳健，价格仍有机会小涨。华邦电子(2344)可望随着整体记忆体市况仍不淡，延续去年下半年的销售热度。华邦电预计下周五（2月2日）举行法说会公布去年财报及本季展望。
华邦电有三大产品线，利基型记忆体(Specialty DRAM)占营收比重约4成，行动记忆体(Mobile DRAM)营收占比逾1成，快闪记忆体(Flash Memory)占营收比重约为45%。随着第一季记忆体价格仍稳中小涨，有利公司维持高毛利率。
因供给面未出现明显变化，目前业界预期DRAM今年上半年供需应会维持稳定，第1季价格还有机会微幅上升。
另外预期，因智慧手机销售不如预期，本季行动式记忆体合约价涨幅收敛为3%，第2季将重启拉货动能，价格有机会持续小涨。预估第2季合约价格将与第1季合约价持平，或有机会小幅调涨价格。
观察2018年上半年行动式记忆体供需与价格趋势，由于三星平泽厂的实质产能开出将落于下半年，上半年供给仍然受限。此外，中国发改委介入价格制定消息传出后，尽管行动式记忆体的涨幅出现较为收敛态势，但预估上半年价格将持续上扬，影响有限。
另外，NOR Flash市场去年缺货一整年，今年预期市场仍供不应求，但价格涨势预估比去年收敛。
SEMI：2017年全球半导体设备出货创新高 年增幅超过4成
SEMI（国际半导体产业协会）公布最新全球半导体设备出货报告，2017年12月北美半导体设备制造商出货金额为23.9亿美元，创下2017年单月新高，与11月的20.5亿美元增加16.3％，相较去年同期成长18.7亿美元。累计去年全年半导体设备出货金额高达560亿美元，写下历史新高纪录。
SEMI台湾区总裁曹世纶表示，12月北美半导体设备出货金额创下2017年单月最高纪录。整体而言，2017全年度的北美半导体设备出货金额相较2016年大幅成长超过40%。
事实上，去年全年受惠于记忆体需求大增，加上各家大厂在NAND Flash逐步在3D制程的64层堆叠技术到位，加上DRAM也开始转进1x/1y奈米，成为带动去年半导体设备出货金额创新高的主要原因。
对于今年市场展望，SEMI先前曾预测，今年半导体设备出货金额可望续创新高，其中韩国半导体厂对于记忆体设备投资金额将可望持续增加，稳居全球半导体设备投资龙头，中国大陆今年晶圆厂也可望逐步落成，可望跃居第二名位置，台湾虽然维持逾百亿美元的高档水位，但将退居第三名位置。
近期虚拟币行情不稳定，但是挖矿订单成交很一般，各能挖矿的显卡，价格方面也有所震荡，小涨小跌为主。
至于1月25日部分挖矿显卡实际成交价行情盘点如下：
1、品牌574现货价格可以卖到2900元左右，白牌574大约在2700元左右，白牌578在3000元左右
2、1063三星颗粒 约在2400元左右，1066三星颗粒约在2600元以上。
3、部分品牌P104挖矿卡，成交价在4600元左右。
5、同时1050TI价格普遍在12XX左右，三星颗粒价格更高。
